Der einfachste Fehlstellendipol in Silberhalogeniden mit zweiwertigen Anionenzusätzen

• DOI: 10.1002/andp.19624640310
• Publication Date: 2007-05-18T22:41:21Z
• Authors: Manfred Höhne

Abstract Die dielektrischen Verluste von Silberhalogenidkristallen, die zweiwertige Verunreinigungen enthalten, wurden zwischen 20°K und etwa 150°K gemessen. Im Falle Anionenzusätzen besteht der einfachste durch Überschußladungen erzeugte Dipol aus einem Silber‐Zwischengitterion zweiwertigen Fremdion. Aktivierungsenergie für Umorientierung dieses Dipols hängt stark speziellen Art des Zusatzes Grundgitters ab. Anomale Lagen Höhen Verlustfaktormaximums können dem Bindungstyp im verstanden werden. Ionenleitfähigkeiten AgBr AgCl Beweglichkeiten Zwischengitterionen Leerstellen in werden verglichen.