V2Ox-based hole-selective contacts for c-Si interdigitated back-contacted solar cells

• DOI: 10.1039/c7ta01959a
• Publication Date: 2017-04-06T10:54:49Z
• Authors: Gerard Masmitjà; Luís G. Gerling; Pablo Ortega; Joaquim Puigdollers; Isidro Martín; Cristóbal Voz; Ramón Alcubilla
• Keywords: Solar cells; Bateries solars; Transition metal oxide layers; Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars; :Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars [Àrees temàtiques de la UPC]; 600; 02 engineering and technology; Crystalline silicon photovoltaics; 530; 7. Clean energy; :Enginyeria electrònica::Microelectrònica [Àrees temàtiques de la UPC]; Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica; Transparent conductive oxide; TCO; Ni/V2Ox; Vanadium suboxide; V2Ox; Cèl·lules solars; 0210 nano-technology

Ni/V2Oxstacks applied to an interdigitated back-contacted n-type c-Si solar cell structure are explored, reaching cell efficiencies up to 19.7%.