A5033109009- Chalcogenide Semiconductor Thin Films
- Quantum Dots Synthesis And Properties
- Advanced Semiconductor Detectors and Materials
- Phase-change materials and chalcogenides
- Semiconductor materials and interfaces
Academy of Sciences Republic of Uzbekistan
2021-2025
Physicotechnical Institute
2025
Kimyo International University in Tashkent
2021
термического испарения получены высококачественные кристаллические пленки твердого раствора Sb2(SxSe1-x)3 из порошков бинарного соединения Sb2S3 и Sb2Se3 на стеклянных подложках с покрытием молибденового слоя при температуре подложек 300°С. С помощью энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии установлено, что полученные Sb2(Sx,Se1-x)3 имеют соотношение компонентов Sb/(S+Se) близкое к стехиометрии, распределение всех (Sb, S, Se) по поверхности синтезированных тонких пленок однородно....
Методом вакуумного термического испарения получены высококачественные кристаллические пленки Sb2(Sx,Se1-x)3 из порошков бинарного соединения Sb2S3 и Sb2Se3 при температуре подложки 300°C. Исследовано влияние атомарного состава S/(S+Se) синтезированных пленок на оптические электрические свойства Sb2(Sx,Se1-x)3. Ширина запрещённой зоны твердого раствора увеличивается с ростом концентрации серы в полученных пленках. Электропровод-ность изменяется пределах 1.1×10−4−3.2×10−4 (Ом⋅см)−1 зависимости...
Using the thermal evaporation method, thin crystalline films of Sb2(Sx Se1-x)3 are produced at substrate temperature 300℃. The mixed powders Sb2S3 and Sb2Se3 is used as a source material. influence S/Se component ratio on morphology structural characteristics Sb2(SxSe1-x)3 investigated. As demonstrated by results X-ray energy dispersive spectroscopy, formed have components close to stoichiometry. Besides, Morphological analyses reveal significant differences in surface film absorbers,...
In this work, we analyzed the temperature dependence of current-voltage characteristics structure glass/Mo/p-Sb2Se3/n-CdS/In. From an analysis dependences direct branches I-V characteristic heterojunction, it was established that dominant mechanism current transfer at low biases (3kT/e<V<0.8V) is multi-stage tunneling-recombination processes involving surface states Sb2Se3/CdS interface. At V>0.8 V, Newman tunneling. case reverse bias (3kT/e<V<1.0 eV), main charge carrier...
Методом химического молекулярно-пучкового осаждения (ХМПО) получены высококристаллические пленки Sb2Se3 от отдельных источников элементов Sb и Se при температуре подложки 500°С. Исследовано влияние соотношения состава Sb/Se на морфологические электрические свойства пленок Sb2Se3. На основе представленных изображений сканирующего электронного микроскопа рентгеноструктурного анализа выявлено, что все имеют кристаллическую (орторомбическую) структуру, размеры кристаллитов составляют 2−3 мкм....